硅靶材

硅旋转靶采用喷涂或烧结绑定工艺制得，可生产最大长度4000mm，厚度根据客户要求定制。
硅平面靶分单晶和多晶，通过直拉晶体生长方法生产，通常绑定在铜背板上一起使用。

纯度：99.99-99.999%，电阻率（20°C）: 0.01-400Ω.cm
应用领域：用于制作SiO2/Si3N4膜，主要用于光学玻璃、触摸屏之AR膜系、LOW-E镀膜玻璃、半导体电子、平板液晶显示器、太阳能电池板、装饰和功能镀膜工业、抗腐蚀抗磨损（表面改性）等领域。

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