氧化铌陶瓷靶材

氧化铌旋转靶采用等离子喷涂工艺制得，尺寸及纯度根据客户要求定制。
氧化铌平面靶采用冷压烧结工艺制得，一般绑定在铜背板上使用，尺寸及纯度根据客户要求定制。


纯度：99.99%；电阻率（20°C）：≤ 0.1Ω.cm。
应用领域：LOW-E镀膜玻璃，薄膜太阳能电池，TFT-LCD，半导体电子，光学镀膜，装饰镀膜。


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